Irf9z34n datasheet на русском

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
Если вам все равно, где вы находитесь, значит вы не заблудились.

Основные параметры IRF9Z34N полевого транзистора p-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального IRF9Z34N. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Структура (технология): MOSFET

Pd max Uds max Udg max Ugs max Id max Tj max, °C Fr (Ton/of) Ciss tip Rds
56W 55V 10V 17A 150°C 0.1

Производитель: IRF
Сфера применения: –
Популярность: 3913
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора IRF9Z34N

Общий вид транзистора IRF9Z34N. Цоколевка транзистора IRF9Z34N.

Обозначение контактов:
Международное: G – затвор, D – сток, S – исток.
Российское: З – затвор, С – сток, И – исток.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора IRF9Z34N.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

IRF9Z34N MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF9Z34N

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V

Читайте также:  Сосновые берега можайский район

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 23.3 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

IRF9Z34N Datasheet (PDF)

1.1. irf9z34npbf.pdf Size:240K _upd-mosfet

 IRF9Z34NPbF l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating D l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l P-Channel Ω l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free Description S

PD- 95769 IRF9Z34NSPbF IRF9Z34NLPbF • Lead-Free www.irf.com 1 04/25/05 IRF9Z34NS/LPbF 2 www.irf.com IRF9Z34NS/LPbF www.irf.com 3 IRF9Z34NS/LPbF 4 www.irf.com IRF9Z34NS/LPbF www.irf.com 5 IRF9Z34NS/LPbF 6 www.irf.com IRF9Z34NS/LPbF www.irf.com 7 IRF9Z34NS/LPbF D2Pak Package Outline (Dimensions are shown in millimeters (inches) D2Pak Part Marking Information THIS IS

1.3. irf9z34ns.pdf Size:162K _international_rectifier

PD – 9.1525 IRF9Z34NS/L HEXFET� Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF9Z34NS) VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF9Z34NL) 175�C Operating Temperature RDS(on) = 0.10? Fast Switching G P-Channel >1.4. irf9z34n.pdf Size:108K _international_rectifier

PD – 9.1485B IRF9Z34N HEXFET� Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = -55V 175�C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.10? P-Channel G Fully Avalanche Rated >

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
P-Channel
Fully Avalanche Rated

Оставьте ответ

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *